
Fortæl dine venner om denne vare:
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2. udgave
Baliga, B. Jayant (Distinguished University Professor, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
Pris
DKK 1.437
Bestilles fra fjernlager
Forventes klar til forsendelse 5. - 10. sep.
Tilføj til din iMusic ønskeseddel
Eller
Findes også som:
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2. udgave
Baliga, B. Jayant (Distinguished University Professor, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
850 pages
Medie | Bøger Hardcover bog (Bog med hård ryg og stift omslag) |
Udgivet | 23. november 2022 |
ISBN13 | 9780323999120 |
Forlag | Elsevier - Health Sciences Division |
Antal sider | 800 |
Mål | 198 × 243 × 44 mm · 1,76 kg |